本文摘要：美国加州大学圣地亚哥分校的一个研究团队研发出有一款基于纳米结构的、不倚赖半导体传导的光控微电子器件，在低电压和较低功率激光唤起的条件下可将电导率比现有半导体器件提升近10倍。这一成果公开发表在11月4日的《大自然通讯》杂志上。 传统的半导体器件受到材料本身的容许，在频率、功耗等方面不存在无限大，而利用自由电子替代半导体材料一般来说必须低电压、大功率激光或高温唤起。

美国加州大学圣地亚哥分校的一个研究团队研发出有一款基于纳米结构的、不倚赖半导体传导的光控微电子器件，在低电压和较低功率激光唤起的条件下可将电导率比现有半导体器件提升近10倍。这一成果公开发表在11月4日的《大自然通讯》杂志上。　　传统的半导体器件受到材料本身的容许，在频率、功耗等方面不存在无限大，而利用自由电子替代半导体材料一般来说必须低电压、大功率激光或高温唤起。

该团队在硅片上用金加工出有一种类似于蘑菇形状的纳米结构(称作超强材料结构)，在10伏以下的直流电力和较低功率红外激光唤起下，才可获释自由电子，从而极大地提高器件的电导率。　　这一器件不有可能几乎替代半导体器件，但有可能在类似市场需求下获得最佳应用于，如超高频器件或大功率器件。未来有所不同的超强材料表面结构有可能限于于有所不同类型的微电子器件，应用于光化学、光催化、光伏转化成等领域。

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